一种硅管溅射靶材的制备方法
基本信息
申请号 | CN202011284440.6 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN112410737A | 公开(公告)日 | 2021-02-26 |
申请公布号 | CN112410737A | 申请公布日 | 2021-02-26 |
分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C01B33/02(2006.01)I;C01B33/037(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
发明人 | 刘耀文;黄军浩 | 申请(专利权)人 | 光洋新材料科技(昆山)有限公司 |
代理机构 | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 汤东凤 |
地址 | 215000江苏省苏州市昆山市玉山镇吴淞江工业园晨丰路南侧 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开的属于硅管溅射靶材技术领域,具体为一种硅管溅射靶材的制备方法,包括金屬硅与金属元素添加剂,其中各成分质量份数为:金屬硅:96‑98份;金属元素添加剂:2‑4份;还包括以下步骤:S1,使用超声波设备对金屬硅进行清洗,并将金屬硅通过两次球磨变成硅粉;S2,使用混合装置将金屬硅和金属元素添加剂混合均匀,得到混合粉末;S3,将混合粉末装入冷等静压模具的管形空腔中,通过三次静压工艺压制硅粉成管状,然后脱去冷等静压模具得到硅管坯,对硅管坯端头及外表面进行修整;本发明结构设计科学合理,对基材具有更为优秀的比抗阻、应力和耐腐蚀性能,使用中将更加可靠。 |
