晶体硅锭的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201911270208.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112941628A | 公开（公告）日 | 2021-06-11 |
| 申请公布号 | CN112941628A | 申请公布日 | 2021-06-11 |
| 分类号 | C30B29/06;C30B11/00;C30B28/06 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 王全志;陈伟;李林东;唐珊珊;陈志军;黎晓丰;周硕;丁云飞;王万胜;任贵;邢国强 | 申请（专利权）人 | 包头阿特斯阳光能源科技有限公司 |
| 代理机构 | 苏州威世朋知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 胡彭年 |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市高新区鹿山路199号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供了一种晶体硅锭的制备方法，先在坩埚底部设置隔离层，所述隔离层具有支撑部与间隙部；再于所述隔离层上方铺设籽晶层，所述籽晶层包括若干相邻排布的籽晶，且使得相邻所述籽晶的接缝偏离所述间隙部；接着，将硅料放入坩埚，加热至硅料熔化，再经定向凝固得到晶体硅锭。本申请通过在籽晶层下方设置隔离层，且该隔离层形成有对应相邻籽晶接缝的支撑部及位于所述籽晶正下方的间隙部，所述间隙部可避免籽晶与坩埚完全接触，减少晶体生长过程中坩埚杂质向籽晶与晶体硅锭中扩散，改善晶体硅锭质量，结构简洁，易于实施。 |
