用于晶体硅铸锭的籽晶层结构与晶体硅锭的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201911253665.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113026092A | 公开（公告）日 | 2021-06-25 |
| 申请公布号 | CN113026092A | 申请公布日 | 2021-06-25 |
| 分类号 | C30B15/36;C30B35/00;C30B29/06 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 王全志;陈伟;李林东;唐珊珊;陈志军 | 申请（专利权）人 | 包头阿特斯阳光能源科技有限公司 |
| 代理机构 | 苏州威世朋知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 胡彭年 |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市高新区鹿山路199号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供了一种用于晶体硅铸锭的籽晶层结构与晶体硅锭的制备方法，所述籽晶层结构包括第一籽晶层、设置在所述第一籽晶层外侧的第二籽晶层，所述第一籽晶层包括若干紧密排布的方块籽晶，所述第二籽晶层包括若干贴近所述方块籽晶设置的条状籽晶。本申请通过在第一籽晶层的外周设置第二籽晶层，所述条状籽晶与方块籽晶的接缝在后续长晶过程中所生成的晶界能够阻挡自坩埚侧壁成核生长的多晶朝中间区域延伸生长，提高所述第一籽晶层所对应区域的单晶占比与硅锭质量，且该籽晶层结构设计简洁，易于实施。 |
