一种基于主动补偿的高性能磁屏蔽装置与方法
基本信息
| 申请号 | CN201811474117.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109597010A | 公开（公告）日 | 2019-04-09 |
| 申请公布号 | CN109597010A | 申请公布日 | 2019-04-09 |
| 分类号 | G01R33/42（2006.01）I; A61B5/05（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 荀强; 盛经纬; 何剀彦; 罗深 | 申请（专利权）人 | 北京昆迈生物医学研究院有限公司 |
| 代理机构 | 北京智沃律师事务所 | 代理人 | 北京昆迈生物医学研究院有限公司;北京大学 |
| 地址 | 102629 北京市大兴区中关村科技园区大兴生物医药产业基地永旺西路26号院6号楼701-5室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于主动补偿的高性能磁屏蔽装置与方法，具体包括以下步骤：步骤一，首先，搭建多层的磁屏蔽筒，由内向外相邻材料采用高导磁材料或高导磁材料与高导电材料混合搭配，并且每两层之间采用无磁材料隔离填充，磁屏蔽筒两侧安装可拆卸的端盖，实现人体头部在磁屏蔽筒内不同位置进行测试；第二步，然后，针对磁屏蔽筒的两端关盖、单端开盖、两端开盖三种不同的磁屏蔽边界条件，通过有限元仿真方法，分别设计小磁场系数的三维补偿线圈，并将三维补偿线圈绕制在同一线圈骨架上，同心装配在磁屏蔽筒中；第三步，最后，搭建高精度稳场装置。该发明实现磁屏蔽筒均匀区内磁场接近零，为脑磁及其他生物磁场测量提供最优的磁场屏蔽环境。 |
