芯片的晶圆级封装结构及其制备方法

基本信息

申请号 CN201810970143.3 申请日 -
公开(公告)号 CN109346533A 公开(公告)日 2019-02-15
申请公布号 CN109346533A 申请公布日 2019-02-15
分类号 H01L31/0203 分类 基本电气元件;
发明人 杨健雄 申请(专利权)人 西安赛恒电子科技有限公司
代理机构 西安恒泰知识产权代理事务所 代理人 西安赛恒电子科技有限公司
地址 710075 陕西省西安市高新区高新路88号6幢1单元10701室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种芯片的晶圆级封装结构,包括芯片,还包括真空腔结构,所述真空腔结构将芯片封装在其内部;所述真空腔结构包括硅片支撑外壳,所述硅片支撑外壳的上表面设有第一增透膜,在硅片支撑外壳的内表面且与第一增透膜相对的位置设有第二增透膜,所述第二增透膜的旁边设有吸气剂膜;芯片的周边设有第一焊料环,硅片支撑外壳的底部设有第二焊料环和第三焊料环,第一焊料环和第三焊料环在真空环境下通过键合密封形成真空腔结构。