闪存器件及其边界字线配置方法/系统、存储介质/控制器
基本信息
| 申请号 | CN201811642832.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109887534A | 公开（公告）日 | 2019-06-14 |
| 申请公布号 | CN109887534A | 申请公布日 | 2019-06-14 |
| 分类号 | G11C8/14（2006.01）I; G11C16/08（2006.01）I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 刘世军; 于楠; 陈敬沧; 陈刚 | 申请（专利权）人 | 上海百功半导体有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 上海百功半导体有限公司 |
| 地址 | 201409 上海市奉贤区奉城镇新奉公路2011号1幢2170室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种闪存器件及其边界字线配置方法/系统、存储介质/控制器，所述闪存器件的边界字线配置方法包括：以预设的闪存结构块为单位结构，配置边界字线；所述预设的闪存结构块为N层3D闪存结构；N为大于或等于16的正整数。本发明通过将闪存器件设计中的边界字线WL设定为SLC/MLC/TLC/QLC等属性的存储单元，减少了过多不用边界字线WL的概率，有效地提高了闪存器件的使用效率和容量。 |
