基于QLC NAND闪存的写操作配置方法、存储控制器及存储设备专利查询专利号|摘要-满商公司网

基于QLC NAND闪存的写操作配置方法、存储控制器及存储设备

基本信息

申请号	CN201811301413.8	申请日	-
公开（公告）号	CN109542801A	公开（公告）日	2019-03-29
申请公布号	CN109542801A	申请公布日	2019-03-29
分类号	G06F12/06（2006.01）I; G06F12/02（2006.01）I	分类	计算；推算；计数;
发明人	刘世军; 于楠; 陈敬沧; 陈刚	申请（专利权）人	上海百功半导体有限公司
代理机构	上海汉声知识产权代理有限公司	代理人	上海百功半导体有限公司
地址	201409 上海市奉贤区奉城镇新奉公路2011号1幢2170室
法律状态	-

摘要

基于QLC NAND闪存的写操作配置方法，包括步骤：将QLC NAND存储单元的16个电压区间采用4比特来表征，每一个比特位表征为一个页地址，使QLC NAND具有四个页地址；采用编码规则对16个电压区间中各个电压区间进行二进制编码映射，根据二进制编码映射关系通过提升存储电压到特定的电压区间，实现基于四个页地址映射的多种不同的QLC NAND写操作；对多种QLC NAND写操作进行配置，根据不同的数据存储需求选择匹配的QLC NAND写操作。本发明根据存储控制器的特点及QLC NAND闪存写操作特性，提供了一种可以通过在存储控制器中配置不同的写操作模式从而可有效地提高存储设备中QLC NAND芯片的使用性能的方法，进而实现了最佳数据写入性能的存储设备。