散热集成的电路芯片及其制作方法

基本信息

申请号 CN201910079338.3 申请日 -
公开(公告)号 CN109671685A 公开(公告)日 2019-04-23
申请公布号 CN109671685A 申请公布日 2019-04-23
分类号 H01L23/367(2006.01)I; H01L23/498(2006.01)I; H01L21/48(2006.01)I; H01L21/60(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 孙海燕; 葛明敏; 赵继聪; 黄静; 孙玲; 方家恩; 彭一弘 申请(专利权)人 成都芯锐科技有限公司
代理机构 江苏隆亿德律师事务所 代理人 南通大学; 成都芯锐科技有限公司
地址 226019 江苏省南通市崇川区啬园路9号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供散热集成的电路芯片,包括SOI片,SOI片自上而下包括顶层硅、绝缘层及底层硅,SOI片纵向设置多个垂直通孔,垂直通孔贯穿绝缘层及底层硅,各垂直通孔内均设置导电导热柱,导电导热柱底端裸露于底层硅下表面,垂直通孔内侧壁设置电学隔离层,至少部分数量的导电导热柱端部抵于顶层硅底部,电路芯片还包括制成于顶层硅的集成电路,至少部分导电导热柱端部与集成电路电学连接。本发明具有优异的散热性能,可与各种集成电路整合。另一方面,本发明还提供了上述芯片的制作方法。