Ho掺杂Bi2S3纳米薄膜的制备方法
基本信息
申请号 | CN202110058982.X | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN112939483B | 公开(公告)日 | 2022-07-01 |
申请公布号 | CN112939483B | 申请公布日 | 2022-07-01 |
分类号 | C03C17/34(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;US 2016/0079552 A1,2016.03.17;JP 特许第5617053 B1,2014.10.29;CN 102427096 A,2012.04.25;CN 104659157 A,2015.05.27;CN 105692696 A,2016.06.22;US 2014/0077425 A1,2014.03.20;US 2018/0369861 A1,2018.12.27;CN 109778304 A,2019.05.21;US 2010/0291724 A1,2010.11.18;US 2013/0015398 A1,2013.01.17 Li Yue-ying等.preparation and photoelectric properties of Ho3+-doped titanium dioxide nanowire downconversion photoanode.《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》.2016,第25卷(第12期),第3974-3979页.;Wei zhou等.Preparation and photoelectric properties of holmium-doped bismuth sulfide film.《Materials Science in Semiconductor Processing》.2022,第143卷第1-7页.;叶辉等.硫化铋微晶掺杂薄膜的制备及光学性能的研究.《光学学报》.1994,第14卷(第5期),第518-522页.;Mane,RS等.Photoelectrochemical(PEC) characterization of chemically deposited Bi2S3 thin films from non-aqueos.《Materials Chemistry and Physics》.1999,第60卷(第2期),第158-162页.;金盈等.硫化铋纳米晶的水热合成及表征.《安徽工程科技学院学报》.2010,第25卷(第3期),第9-11页. | 分类 | 玻璃;矿棉或渣棉; |
发明人 | 周威;钟福新;劳昌玲;王家钰;黎燕;莫德清 | 申请(专利权)人 | 桂林理工大学 |
代理机构 | - | 代理人 | - |
地址 | 541004广西壮族自治区桂林市建干路12号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种Ho掺杂Bi2S3纳米薄膜的制备方法。将FTO分别在含Bi(NO3)3·5H2O的冰醋酸溶液和含Na2S·9H2O的甲醇溶液中浸泡,每次取出FTO烘干,如此重复三次,退火后制得Bi2S3/FTO。将含Bi(NO3)3·5H2O、Ho(NO3)3·6H2O、Na2S2O3·5H2O三种物质混合而成并且NaOH调节溶液pH值为4.8的反应液装入高压反应釜中,插入Bi2S3/FTO,在烘箱中反应,得光电压值为0.0747 V~0.2650 V的纯Bi2S3及Ho掺杂Bi2S3(Ho‑Bi2S3)纳米薄膜。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期较短,产品的光电性能稳定性好。 |
