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MEMS器件及其制造方法

基本信息

申请号 CN202110795758.9 申请日 -
公开（公告）号 CN113460952A 公开（公告）日 2021-10-01
申请公布号 CN113460952A 申请公布日 2021-10-01
分类号 B81B7/02（2006.01）I;B81C1/00（2006.01）I 分类 微观结构技术〔7〕;
发明人 孟燕子;荣根兰;孙恺;胡维 申请（专利权）人 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
代理机构 北京成创同维知识产权代理有限公司 代理人 蔡纯;岳丹丹
地址 215123江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号纳米城NW09-501
法律状态 -

摘要

摘要 公开了一种MEMS器件及其制造方法，方法包括：形成第一功能层；在所述第一功能层上形成第一牺牲层；在所述第一牺牲层中形成通孔，所述通孔贯穿所述第一牺牲层；在所述第一牺牲层上形成第二牺牲层，所述第二牺牲层中具有凹槽；在所述第二牺牲层上形成第二功能层，所述第二功能层填充所述第二牺牲层中的凹槽形成防粘结构，其中，所述第一牺牲层采用低密度氧化硅材料，所述第二牺牲层采用高密度氧化硅材料。本申请的MEMS器件的制造方法中，在振膜或背极板靠近空腔的一侧表面上形成有防粘结构，该防粘结构采用两层牺牲层形成，具有更加圆滑的形貌，在振膜发生大形变时，降低了振膜的应力集中，进而降低了MEMS器件的失效和产品的成本。