高温真空单晶烧结炉
基本信息
| 申请号 | CN201220022757.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN202465962U | 公开（公告）日 | 2012-10-03 |
| 申请公布号 | CN202465962U | 申请公布日 | 2012-10-03 |
| 分类号 | C30B35/00(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 静宇;静枫 | 申请（专利权）人 | 吉林省赛尔光电技术有限公司 |
| 代理机构 | 吉林长春新纪元专利代理有限责任公司 | 代理人 | 魏征骥 |
| 地址 | 130062 吉林省长春市绿园经济开发区金鹏路1000号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种高温真空单晶烧结炉，属于镀膜技术领域。碳毡保温筒与外壳内部套接，筒形石墨加热器与支架固定连接，筒形石墨加热器与石墨坩埚外部套接。实用新型的优点在于：结构具有新颖性，体积小，费用低，效率高，更换简单，维修方便，径向温度梯度小，适于大尺过石锅加热，热场均匀，材料的均匀性以及重复性好成品率高，使用寿命长，保温效果好，温场复性好，有利于镀膜材料及晶体生长制作，在前端就达到了温度控制。 |
