金红石疏水薄膜的强化直流磁控溅射制备方法

基本信息

申请号 CN00127814.2 申请日 -
公开(公告)号 CN1118587C 公开(公告)日 2003-08-20
申请公布号 CN1118587C 申请公布日 2003-08-20
分类号 C23C14/35;C23C14/08;C01G23/047 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 王辉 申请(专利权)人 杉杉集团有限公司
代理机构 上海交达专利事务所 代理人 毛翠莹
地址 200122上海市浦东东方路985号
法律状态 -

摘要

摘要 一种金红石疏水薄膜的强化直流磁控溅射制备方法,其特征在于强化直流溅射条件,采用高磁控钛靶溅射,并结合高溅射电流密度、高基板温度、低工作气压及高氧分压条件,以保证充分的电离和沉积薄膜的氧化,并使溅射稳定,提高沉积率。本发明制备的二氧化钛薄膜为含少量锐钛矿的金红石多晶结构,具有良好的耐摩擦性和疏水特性,表面附着力非常好,可用于玻璃镜片、陶瓷,幕墙玻璃和汽车后视镜等材料的表面镀膜,也可用于制备某些生物医药材料。