变温环境中DQS相位校准方法、装置、设备及存储介质
基本信息
| 申请号 | CN202111082208.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113889172A | 公开（公告）日 | 2022-01-04 |
| 申请公布号 | CN113889172A | 申请公布日 | 2022-01-04 |
| 分类号 | G11C29/02（2006.01）I;G11C16/04（2006.01）I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 夏品;弗兰克·陈;熊小明;蒋露;马梁 | 申请（专利权）人 | 至誉科技（武汉）有限公司 |
| 代理机构 | 武汉智权专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 张凯 |
| 地址 | 430000湖北省武汉市东湖新技术开发区高新二路特一号关南工业园2号厂房2-3楼西面 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种变温环境中DQS相位校准方法、装置、设备及存储介质，所述方法通过对Nand‑flash控制器端在不同温度下做DLL校准，收集每次校准的DLL参数，并记录对应的工作温度，根据不同温度下的校准结果进行温度等级划分，每一个温度等级对应一组DLL参数；在当前工作温度与当前DLL参数对应的温度不在同一温度等级时，获取所述当前工作温度对应的目标相位偏移参数；根据所述目标相位偏移参数为所述Nand‑flash存储器的DQS信号的上升沿和下降沿添加对应的相位偏移，能够解决高低温环境下DLL参数不能自适应的问题，保证了在高低温环境下读Nand‑flash存储器时采样的准确性。 |
