一种处理半导体激光器的方法
基本信息
| 申请号 | CN202110008867.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114724937A | 公开（公告）日 | 2022-07-08 |
| 申请公布号 | CN114724937A | 申请公布日 | 2022-07-08 |
| 分类号 | H01L21/268（2006.01）I;H01S5/00（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 单小婷;赵发展;孙昀;王磊;李博;高见头;罗家俊;滕瑞 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 代理机构 | 北京华沛德权律师事务所 | 代理人 | - |
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种处理半导体激光器的方法，该方法包括：在半导体激光器的制备过程中，利用预设辐照源对半导体激光器进行辐照处理，以提高所述半导体激光器的调制带宽，其中，所述辐照源为粒子辐照源。通过在半导体激光器的制备过程中，利用预设辐照源对半导体激光器进行辐照处理，从而实现在不影响半导体激光器其他性能的情况下，以更为简单和低成本的方法，提高半导体激光器的调制带宽，有利于优化半导体激光器的动态性能。 |
