一种降低半导体器件高温关态漏电的方法及装置
基本信息
| 申请号 | CN202010876479.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112053968B | 公开（公告）日 | 2022-07-08 |
| 申请公布号 | CN112053968B | 申请公布日 | 2022-07-08 |
| 分类号 | H01L21/66（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 高林春;曾传滨;李晓静;闫薇薇;倪涛;李多力;卜建辉;张颢译;王可;刘海南;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 代理机构 | 北京华沛德权律师事务所 | 代理人 | - |
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种降低半导体器件高温关态漏电的方法及装置，方法包括：针对目标器件，获取目标器件在常温下的第一温度转移特性曲线以及目标器件在目标温度下的第二温度转移特性曲线；获取目标器件的亚阈值泄漏截止电流对应的第一栅电压、第一阈值电压以及亚阈值泄漏截止电流对应的第二栅电压；确定目标器件在目标温度下的目标阈值电压；基于目标阈值电压调整目标器件的阱离子注入浓度；如此，只需基于调整后的离子注入浓度注入离子即可达到目标阈值电压；在温度转移特性曲线上，确保亚阈值泄漏截止电流的截止点落在栅电压为零处，这样无需对器件结构及工艺流程做出大幅改变即可在确保器件的高温下的关态漏电达到最低，确保成本。 |
