带铁电或负电容材料的器件及其制造方法及电子设备
基本信息
| 申请号 | CN202010932029.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112018184B | 公开（公告）日 | 2022-07-08 |
| 申请公布号 | CN112018184B | 申请公布日 | 2022-07-08 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 朱慧珑;黄伟兴 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 公开了一种具有铁电或负电容材料的纳米线/片器件及其制造方法及包括这种纳米线/片器件的电子设备。根据实施例，半导体器件可以包括：衬底；衬底上与衬底的表面间隔开的纳米线/片；围绕纳米线/片的栅电极；在栅电极的侧壁上形成的铁电或负电容材料层；以及位于纳米线/片的相对两端且与纳米线/片相接的源/漏层。 |
