一种超材料单元、超表面、电磁设备及编码方法

基本信息

申请号 CN202011217615.1 申请日 -
公开(公告)号 CN112332103B 公开(公告)日 2022-07-08
申请公布号 CN112332103B 申请公布日 2022-07-08
分类号 H01Q15/00(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 王启东;万伟康 申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所
代理机构 北京知迪知识产权代理有限公司 代理人 -
地址 100029北京市朝阳区北土城西路3号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开一种超材料单元、超表面、电磁设备及编码方法,涉及超表面技术领域,用以简化可重构超表面所包括的超材料单元的结构,降低制作难度。该超材料单元包括反射部以及其下方的第一介质部、上方的第二介质部,第一介质部朝向反射部的表面开设容纳第一工作流体的储液槽;第二介质部远离反射部的表面开设容纳第二工作流体的电解液槽,电解液槽与储液槽连通。超材料单元处于非填充状态,第二工作流体为电解液;当施加在储液槽内电解液的电压高于施加在电解液槽内电解液的电压时,超材料单元处于填充状态,第二工作流体至少包括液态金属。本发明提供的超材料单元、超表面、电磁设备及编码方法用于超表面的制作及编码。