低翘曲高密度封装基板制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110469453.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113194640B | 公开（公告）日 | 2022-07-08 |
| 申请公布号 | CN113194640B | 申请公布日 | 2022-07-08 |
| 分类号 | H05K3/46（2006.01）I | 分类 | 其他类目不包含的电技术; |
| 发明人 | 于中尧 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种低翘曲高密度封装基板制造方法，包括如下步骤：将封装基板内层线路（11）与ABF层（12）压合处理；对所述ABF层（12）进行未完全固化处理，使所述ABF层（12）固化度在50％～70％之间；在未完全固化处理后的ABF层（12）上制造外层线路（13）；重复上述三个步骤，得到多层线路封装基板；将所述多层线路封装基板进行完全固化处理，使所述多层线路封装基板完全固化整平。本发明基于绝缘层材料未完全固化加工工艺，使利用ABF作为线路间绝缘材料的高密度封装基板在最后彻底固化整平后翘曲较少或没有翘曲。同时，封装基板的制造工艺更简单，提高了加工效率。 |
