首页/ 辽宁芯诺电子科技有限公司/ 专利详情

带开放式缺口的两片式同步整流二极管

基本信息

申请号 CN201721876382.X 申请日 -
公开（公告）号 CN208336221U 公开（公告）日 2019-01-04
申请公布号 CN208336221U 申请公布日 2019-01-04
分类号 H01L25/03;H01L23/31 分类 基本电气元件;
发明人 李明芬;吴南;吕敏;李联勋;马东平;王鹏;徐明星 申请（专利权）人 辽宁芯诺电子科技有限公司
代理机构 青岛发思特专利商标代理有限公司 代理人 周仕芳;卢登涛
地址 113007 辽宁省抚顺市东洲区绥化路东段42-2号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了带开放式缺口的两片式同步整流二极管，包括第一框架、MOSFET芯片、控制IC芯片、第二框架、内置电容，所述第二框架有两个外置引脚，第二框架上设有开放式缺口，控制IC芯片固定在第二框架上，内置电容的外接线端连接第二框架，内接线端位于开放式缺口处；第一框架设有一个外置引脚，MOSFET芯片固定在第一框架上；所述MOSFET芯片、控制IC芯片、内置电容之间通过键合线连接。带开放式缺口的两片式同步整流二极管，优化了结构，整合PAD可利用面积，排除了易造成不良的结构缺陷。