一种新型电子封装高硅铝合金及其制备方法

基本信息

申请号 CN202010044902.0 申请日 -
公开(公告)号 CN111020308A 公开(公告)日 2020-04-17
申请公布号 CN111020308A 申请公布日 2020-04-17
分类号 C22C21/04;C22C1/03;C22F1/043;C21D10/00 分类 冶金;黑色或有色金属合金;合金或有色金属的处理;
发明人 周东帅;百志好;汤大龙 申请(专利权)人 苏州先准电子科技有限公司
代理机构 无锡坚恒专利代理事务所(普通合伙) 代理人 苏州先准电子科技有限公司
地址 215600 江苏省无锡市张家港市大新镇新创路8号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种新型电子封装高硅铝合金,按质量百分比计,高硅铝合金的成分为:Sc 0.1~0.5%、Si 15~40%、Mg 0.25~0.45%、Mo 0~1%、其余为Al。本发明通过对高硅铝合金进行了钪变质和激光表面复合处理技术,提高高硅铝合金力学性能、耐磨性和抗疲劳性能。本发明还公开了一种新型电子封装高硅铝合金的制备方法。