一种半互穿阴离子交换膜及其制备方法和应用
基本信息
| 申请号 | CN202210240534.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114695933A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114695933A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | H01M8/1081（2016.01）I;H01M8/1027（2016.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 韩娟娟;刘驰峰;邓萃雯;任占冬;方华 | 申请（专利权）人 | 武汉轻工大学 |
| 代理机构 | 北京思创大成知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 430023湖北省武汉市汉口常青花园学府南路68号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半互穿阴离子交换膜及其制备方法和应用，包括在第一有机溶剂和催化剂存在下，将苯乙烯‑乙烯‑丁烯嵌段共聚物和1，4‑二氯甲氧基丁烷反应；在第二有机溶剂和引发剂的存在下，将聚苯醚和N‑溴代琥珀酰亚胺反应；在第三有机溶剂存在下，将氯甲基化苯乙烯‑乙烯‑丁烯嵌段共聚物与交联剂反应，得A溶液；将溴化聚苯醚溶解于第三有机溶剂，得B溶液；将A溶液和B溶液混合搅拌，倒入模具，烘干得薄膜；将薄膜浸泡于三甲胺水溶液，得卤素型半互穿阴离子交换膜；将卤素型半互穿阴离子交换膜与碱溶液离子交换，得半互穿阴离子交换膜。本发明薄膜具备抗拉伸强度高、柔韧性好、成膜均匀、离子电导率高、化学稳定性优异的特点。 |
