一种用于晶圆测试的晶粒加权补偿计算方法

基本信息

申请号 CN202110025085.9 申请日 -
公开(公告)号 CN112858878B 公开(公告)日 2021-12-21
申请公布号 CN112858878B 申请公布日 2021-12-21
分类号 G01R31/28(2006.01)I 分类 测量;测试;
发明人 魏津;张经祥;杜宇 申请(专利权)人 胜达克半导体科技(上海)股份有限公司
代理机构 上海专益专利代理事务所(特殊普通合伙) 代理人 方燕娜;王雯婷
地址 201799上海市青浦区清河湾路1130号1幢1层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及半导体测试技术领域,具体地说是一种用于晶圆测试的晶粒加权补偿计算方法。具体流程如下:S1:通过PMU初测方法,找出晶圆上有代表性的某个晶粒的补偿值;S2:找出补偿值后,使用“过‑不过”测试方法对剩下的晶粒做快速测试;S3:如果S2中的“过‑不过”测试方法的结果使得大部分晶粒不通过,则回到S1初测方法,重新修正加权系数和补偿值;如果S2中的“过‑不过”测试方法的结果使得大部分晶粒通过,则确定该加权系数和补偿值;S4:对于S3中的剩下小部分不通过的晶粒,采用传统的PMU验证方法来进行测试。同现有技术相比,采用预设经验值和加权实际测试结果反馈系数的迭代算法,解决了测试时间的问题,快速找出每颗晶圆对应的补偿数值。