生长纳米级气泡的方法及其观察并控制装置与方法
基本信息
| 申请号 | CN200510111757.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN1987414B | 公开（公告）日 | 2011-04-20 |
| 申请公布号 | CN1987414B | 申请公布日 | 2011-04-20 |
| 分类号 | G01N13/00(2006.01)I;G01N1/28(2006.01)I;C25B1/00(2006.01)I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 张立娟;胡钧;方海平;樊春海;张益;沈广霞 | 申请（专利权）人 | 上海中兴科源环保科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 中国科学院上海应用物理研究所;上海中兴科源环保科技有限公司 |
| 地址 | 201800 上海市嘉定区嘉罗公路2019号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种生长纳米级气泡的方法，其采用电化学方法，以疏水的、表面粗糙度不超过10纳米的导电材料为工作电极，同时作为生长纳米气泡的基底，并控制电压至少为0.7V的正压或负压，反应时间为1秒～2.5小时。本发明也公开了一种观测并控制上述生长纳米级气泡的装置和方法。本发明方法可以产生某一单体成分的纳米级气泡，具有很好重现性，操作简便；而且，通过改变电压和反应时间可以控制纳米气泡的大小和数量。 |
