晶体硅热氧化工艺、系统及晶体硅太阳能电池热氧化工艺
基本信息
| 申请号 | CN201810066451.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108417474B | 公开（公告）日 | 2021-12-21 |
| 申请公布号 | CN108417474B | 申请公布日 | 2021-12-21 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 谭鑫;周公庆;刘爱民 | 申请（专利权）人 | 锦州阳光能源有限公司 |
| 代理机构 | 沈阳友和欣知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 杨群 |
| 地址 | 121000 辽宁省锦州市经济技术开发区西海工业园区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种晶体硅热氧化工艺、系统及晶体硅太阳能电池热氧化工艺，晶体硅热氧化工艺包括以下步骤：将硅片放置于紫外臭氧腔室内；向紫外臭氧腔室内通入携带有水蒸气的二氧化氮与氧气的混合气，紫外臭氧腔室内的氧气在紫外线的促进下转化为臭氧和游离氧；在150‑160℃的温度下，在水蒸气、二氧化氮、臭氧和游离氧的共同促进下，硅片表面生成二氧化硅氧化层。该方法工艺简单、耗时短、成本低、晶体硅钝化效果佳。 |
