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一种半导体激光器芯片

基本信息

申请号 CN201420064039.5 申请日 -
公开（公告）号 CN203839701U 公开（公告）日 2014-09-17
申请公布号 CN203839701U 申请公布日 2014-09-17
分类号 H01S5/042(2006.01)I;H01S5/02(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 廉鹏 申请（专利权）人 马鞍山思派科创科技有限公司
代理机构 北京联瑞联丰知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 廉鹏;马鞍山思派科创科技有限公司
地址 100102 北京市朝阳区望京花园东区213楼2201号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提出了一种半导体激光器芯片，包括：自下而上依次为N面散热结构、N面电极、N区外延层、有源区、P区外延层、P面电极和P面散热结构，所述N面电极通过生长衬底的转换方式形成。本实用新型的激光器芯片中的生长衬底能够重复利用，生长衬底的As不会带入激光器制备的后续工艺流程，降低工业废水的污染治理成本；避免了可能导致机械损伤的研磨过程，进而提高了半导体激光器的质量可靠性，使得其具有明显的技术先进性和良好的经济效益。