一种提高半导体激光器芯片散热效率的方法
基本信息
| 申请号 | CN201410049513.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103811991B | 公开（公告）日 | 2017-05-24 |
| 申请公布号 | CN103811991B | 申请公布日 | 2017-05-24 |
| 分类号 | H01S5/042(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 廉鹏 | 申请（专利权）人 | 马鞍山思派科创科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京知识律师事务所 | 代理人 | 蒋海军 |
| 地址 | 安徽省马鞍山市马鞍山承接产业转移示范园区常韦路125-2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出了一种提高半导体激光器芯片散热效率的方法，包括如下步骤：a）生长衬底依次外延生长预置转换层、N区外延层、有源区和P区外延层；b）经过光刻、刻蚀、蒸镀TiPtAu和退火在所述P区外延层制作P面电极；c）将所述步骤b）所得浸入腐蚀液，利用所述腐蚀液腐蚀所述预置转换层；d）经所述步骤c）所得的所述N区外延层经过表面处理步骤之后，蒸镀AuGeNi制作N面电极。本发明形成的大功率半导体激光器芯片双面散热，热阻大幅下降，很大程度提高器件的光功率输出，使得其具有明显的技术先进性和良好的经济效益。 |
