一种提高半导体激光器芯片散热效率的方法

基本信息

申请号 CN201410049513.1 申请日 -
公开(公告)号 CN103811991B 公开(公告)日 2017-05-24
申请公布号 CN103811991B 申请公布日 2017-05-24
分类号 H01S5/042(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 廉鹏 申请(专利权)人 马鞍山思派科创科技有限公司
代理机构 南京知识律师事务所 代理人 蒋海军
地址 安徽省马鞍山市马鞍山承接产业转移示范园区常韦路125-2号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提出了一种提高半导体激光器芯片散热效率的方法,包括如下步骤:a)生长衬底依次外延生长预置转换层、N区外延层、有源区和P区外延层;b)经过光刻、刻蚀、蒸镀TiPtAu和退火在所述P区外延层制作P面电极;c)将所述步骤b)所得浸入腐蚀液,利用所述腐蚀液腐蚀所述预置转换层;d)经所述步骤c)所得的所述N区外延层经过表面处理步骤之后,蒸镀AuGeNi制作N面电极。本发明形成的大功率半导体激光器芯片双面散热,热阻大幅下降,很大程度提高器件的光功率输出,使得其具有明显的技术先进性和良好的经济效益。