一种半导体激光器芯片及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201410049547.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103811992A | 公开（公告）日 | 2014-05-21 |
| 申请公布号 | CN103811992A | 申请公布日 | 2014-05-21 |
| 分类号 | H01S5/042(2006.01)I;H01S5/02(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 廉鹏 | 申请（专利权）人 | 马鞍山思派科创科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 廉鹏;马鞍山思派科创科技有限公司 |
| 地址 | 100102 北京市朝阳区望京花园东区213楼2201号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出了一种半导体激光器芯片及其制造方法，其中一种半导体激光器芯片包括：自下而上依次为N面散热结构、N面电极、N区外延层、有源区、P区外延层、P面电极和P面散热结构，所述N面电极通过生长衬底的转换方式形成。本发明的半导体激光器芯片制造方法过程中，生长衬底能够重复利用，降低生产成本，其中生长衬底的As不会带入半导体激光器制备的后续工艺流程，降低工业废水的污染治理成本；避免了可能导致机械损伤的研磨过程，进而提高了半导体激光器的质量可靠性，使得其具有明显的技术先进性和良好的经济效益。 |
