一种用于STT-MRAM中的读写控制电路
基本信息
| 申请号 | CN202120508125.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214377680U | 公开（公告）日 | 2021-10-08 |
| 申请公布号 | CN214377680U | 申请公布日 | 2021-10-08 |
| 分类号 | G11C11/16（2006.01）I;G11C7/10（2006.01）I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 程学农;李学明;姜岩峰;张光军 | 申请（专利权）人 | 中电海康无锡科技有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 殷红梅;陈丽丽 |
| 地址 | 214135江苏省无锡市新吴区菱湖大道111号无锡软件园天鹅座D幢1005室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及集成电路技术领域，具体公开了一种用于STT‑MRAM中的读写控制电路，其中，包括多行读写控制单元，每行读写控制单元均包括：写电路，与存储阵列连接，用于根据控制信号控制输入数据是否写入存储阵列；读出电路，与存储阵列连接，用于读出存储阵列中的存储数据；存储阵列，用于控制存储单元的选通，并将写电路写入的输入数据存储至选通的存储单元中以形成存储数据；比较器，分别与写电路和锁存器连接，用于将锁存器中暂存的存储数据与输入数据进行比较，生成控制信号；锁存器，用于获取读出电路读取的存储数据，并将存储数据进行暂存。本实用新型提供的用于STT‑MRAM中的读写控制电路降低了写功耗并且降低了写错误率。 |
