一种用于STT-MRAM中的写电路
基本信息
| 申请号 | CN202120508134.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214377681U | 公开（公告）日 | 2021-10-08 |
| 申请公布号 | CN214377681U | 申请公布日 | 2021-10-08 |
| 分类号 | G11C11/16（2006.01）I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 程学农;李学明;姜岩峰;张光军 | 申请（专利权）人 | 中电海康无锡科技有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 殷红梅;陈丽丽 |
| 地址 | 214135江苏省无锡市新吴区菱湖大道111号无锡软件园天鹅座D幢1005室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及存储器读写电路技术领域，具体公开了一种用于STT‑MRAM中的写电路，其中，包括：写控制逻辑电路，输入端分别连接写使能端和数据输入端，用于对输入数据的写入控制；电流增强电路，输入端分别与所述写控制逻辑电路的输出端以及所述写使能端连接，输出端用于连接存储阵列，所述电流增强电路能够增强所述存储阵列的写入电流。本实用新型提供的用于STT‑MRAM中的写电路，通过电流增强电路能够可控的增强写入电流，同时通过电流增强电流提供的额外写入电流能够被控制在一定范围内，避免过高的写入电流击穿存储阵列中的磁隧道结器件，同时在不增加额外端口的情况下，降低了电路的复杂度。 |
