一种复合空穴传输层及包含其的钙钛矿太阳能电池
基本信息
申请号 | CN201910525362.5 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN112103392A | 公开(公告)日 | 2020-12-18 |
申请公布号 | CN112103392A | 申请公布日 | 2020-12-18 |
分类号 | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46 | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 杨田;唐泽国 | 申请(专利权)人 | 北京宏泰创新科技有限公司 |
代理机构 | - | 代理人 | - |
地址 | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区荣华南路9号院2号楼11层1101-2室 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种复合空穴传输层,包括Spiro‑TTB层和无机空穴传输材料层,所述无机空穴传输材料为氧化镍或硫化锰。本发明还公开了采用本发明的复合空穴传输层作为空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及硅/钙钛矿叠层太阳能电池。 |
