半导体纳米晶体及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811016576.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108822856B | 公开（公告）日 | 2021-11-30 |
| 申请公布号 | CN108822856B | 申请公布日 | 2021-11-30 |
| 分类号 | C09K11/88;B82Y20/00;B82Y40/00 | 分类 | 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用; |
| 发明人 | 张孟;李霞;张超 | 申请（专利权）人 | 嘉兴纳鼎光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京利丰知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 王锋 |
| 地址 | 315000 浙江省宁波市宁海县桥头胡街道凤山路218号（资助申报） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种半导体纳米晶体的制备方法，包括：提供至少包含第一阳离子前驱体、第二阳离子前驱体的阳离子前驱体溶液；提供至少包含阴离子前驱体的阴离子前驱体溶液；将所述阳离子前驱体溶液与所述阴离子前驱体溶液混合反应，获得半导体纳米晶体。较之现有技术，本发明公开的半导体纳米晶体的制备方法，摆脱了斯托克斯位移小的缺陷，有效提升了半导体纳米晶体的效率并减少了能耗；同时简化了制备步骤，仅通过一次投料的单个过程即可获得目标半导体纳米晶体，促进了工业化的进展。 |
