一种用于薄片化双面电池的背面氮化硅叠层膜的制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种用于薄片化双面电池的背面氮化硅叠层膜的制备方法

基本信息

申请号	CN201910650900.3	申请日	-
公开（公告）号	CN111584665A	公开（公告）日	2020-08-25
申请公布号	CN111584665A	申请公布日	2020-08-25
分类号	H01L31/056(2014.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	杨露;刘大伟;倪玉凤;张天杰;宋志成	申请（专利权）人	国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司
代理机构	上海精晟知识产权代理有限公司	代理人	国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;黄河水电西宁太阳能电力有限公司
地址	710099陕西省西安市航天基地东长安街589号
法律状态	-

摘要

本专利提供了一种适用于薄片化双面电池的背面氮化硅叠层膜的制备方法，其特征在于，在电池背面沉积SiNx薄膜步骤中沉积至少2层SiNx薄膜；所述电池背面沉积的SiNx薄膜是由不同折射率、不同厚度的SiNx薄膜周期性排列形成的叠层膜结构；所述SiNx薄膜的厚度为10‑100nm，折射率为1.5‑2.2，沉积时间为100‑600s。本发明的SiNx叠层膜是采用PECVD方法制备，通过改变SiH4和NH3的流量大小及沉积时间获得不同折射率和不同厚度的SiNx膜层，从而调控其光子带隙中心波长的位置，反射特定波长的光。本发明通过采用背面SiNx叠层膜形式，增加背面长波光的反射率，有效提升了光吸收率，对短路电流有明显的增益，提高了电池的转换效率。