发光二极管衬底的剥离方法及发光二极管阵列
基本信息
| 申请号 | CN202011450285.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112582506A | 公开（公告）日 | 2021-03-30 |
| 申请公布号 | CN112582506A | 申请公布日 | 2021-03-30 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L27/15(2006.01)I;H01L33/48(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 韦冬;李庆;于波;赵柯 | 申请（专利权）人 | 苏州禾裕融资租赁有限公司 |
| 代理机构 | 苏州威世朋知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 常伟 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市工业园区通园路666号B幢2楼2007 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种发光二极管衬底的剥离方法及发光二极管阵列，剥离方法包括：提供衬底，在所述衬底生长牺牲层，在所述牺牲层的表面生长发光二极管器件；提供辅助基板；涂布键合胶至所述辅助基板的周边或者所述衬底的周边；于氮气腔室中，键合所述衬底和所述辅助基板，使得所述衬底、所述辅助基板以及所述键合胶共同限定出的密闭空间内充满氮气；以及激光照射并穿过所述衬底，使所述牺牲层热解，所述衬底和所述发光二极管器件分离。 |
