新型射频谐振器薄膜及其构造方法
基本信息
| 申请号 | CN201711462702.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108173530B | 公开（公告）日 | 2021-09-21 |
| 申请公布号 | CN108173530B | 申请公布日 | 2021-09-21 |
| 分类号 | H03H9/02（2006.01）I;H03H9/17（2006.01）I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 珠海晶讯聚震科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 俞梁清 |
| 地址 | 519000广东省珠海市高新区南方软件园Bee+ | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种首次采用分子束外延技术制备的BaxSr（1‑x）TiO3（BST）单晶薄膜，薄膜的厚度通常为200nm至500nm，并且公差可以被控制在1％以内。其可以制造在蓝宝石晶圆载体上，然后可以将其分离。薄膜的平滑度具有小于1nm的RMS。这种膜非常有希望用于下一代RF滤波器。 |
