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一种声学谐振器及其制造方法和应用

基本信息

申请号	CN202111598892.6	申请日	-
公开（公告）号	CN114665837A	公开（公告）日	2022-06-24
申请公布号	CN114665837A	申请公布日	2022-06-24
分类号	H03H9/02（2006.01）I;H03H9/10（2006.01）I;H03H9/56（2006.01）I;H03H9/58（2006.01）I;H03H3/02（2006.01）I	分类	基本电子电路;
发明人	卓尔·赫尔维茨	申请（专利权）人	珠海晶讯聚震科技有限公司
代理机构	广州嘉权专利商标事务所有限公司	代理人	-
地址	300000天津市东丽区自贸试验区（空港经济区）西七道18号（3）幢天保工业厂房102房
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种声学谐振器，所述声学谐振器是构成FBAR滤波器的基础部件，所述FBAR滤波器包括富阱层以通过降低自由电荷寿命而避免寄生电阻。所述声学谐振器具有第一电极、第二电极和压电层，第一电极构成第一平面，所述第二电极设置成平行于所述第一平面部分，所述压电层设置于所述第一和第二平面电极之间并接触两者。硅基支撑层包含富阱区域键合至所述第二电极。所述声学谐振器可通过以下方式来制造：（a）将所述富阱区域沉积于所述硅基支撑层上；（b）将所述富阱区域的表面氧化；（c）将键合层沉积于所述富阱区域的所述氧化表面上；（d）将第一电极与含富阱层的硅基氧化层一面键合；（e）使压电层的第一侧接触所述第一电极；（f）使所述压电层的第二侧接触第二电极。