制造具改进腔体的单晶压电射频谐振器和滤波器的方法
基本信息
| 申请号 | CN201810640995.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109039296B | 公开（公告）日 | 2022-02-18 |
| 申请公布号 | CN109039296B | 申请公布日 | 2022-02-18 |
| 分类号 | H03H9/02（2006.01）I;H03H9/05（2006.01）I;H03H9/17（2006.01）I;H03H9/58（2006.01）I;CN 107025321 A,2017.08.08;CN 107425112 A,2017.12.01;CN 107317561 A,2017.11.03;CN 107171654 A,2017.09.15;WO 2013015581 A1,2013.01.31;EP 1542362 A1,2005.06.15;JP 2004357306 A,2004.12.16;US 2008238575 A1,2008.10.02 程维维.基于薄膜体声波谐振器（FBAR）技术的无线传感集成系统研究.《基于薄膜体声波谐振器（FBAR）技术的无线传感集成系统研究 信息科技辑》.2015,;Gayathri Pillai等.An apodized 3-GHz thin film piezoelectric on substrate FBAR.《2017 Joint Conference of the European Frequency and Time Forum and IEEE International Frequency Control Symposium （EFTF/IFCS）》.2017, | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 珠海晶讯聚震科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 俞梁清 |
| 地址 | 519000广东省珠海市高新区南方软件园Bee+ | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种制造FBAR滤波器装置的方法，FBAR滤波器装置包括一个谐振器阵列，每个谐振器包括夹在第一和第二电极之间的单晶压电薄膜，其中第一电极由空气腔体上的支撑薄膜支撑，所述空气腔体被嵌入硅柄上的二氧化硅层中，具有穿过所述硅柄并进入空气腔体中的硅通孔，在二氧化硅层中的所述空气腔体的侧壁被能抵抗二氧化硅蚀刻剂的边界沟槽所限定。 |
