一种半导体激光加工方法

基本信息

申请号 CN202110245825.X 申请日 -
公开(公告)号 CN113066717A 公开(公告)日 2021-07-02
申请公布号 CN113066717A 申请公布日 2021-07-02
分类号 H01L21/285;H01L21/768;H01L23/552;B23K26/362 分类 基本电气元件;
发明人 孙德瑞 申请(专利权)人 山东傲天环保科技有限公司
代理机构 北京华际知识产权代理有限公司 代理人 叶宇
地址 250000 山东省济南市历下区华能路38号汇源大厦1506
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种半导体激光加工方法。本发明利用前道工序进行两个硅衬底芯片的混合键合,键合面上包括金属硅化物区,该金属硅化物区与硅材料具有更好的键合效果,且金属硅化物同时充当欧姆接触件和电磁屏蔽层。特别的,金属硅化物区采用激光局部扫描形成,形成的电磁屏蔽层嵌入于硅衬底中,便于键合和保证屏蔽的稳定性。