一种芯片结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110007479.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112838013A | 公开（公告）日 | 2021-05-25 |
| 申请公布号 | CN112838013A | 申请公布日 | 2021-05-25 |
| 分类号 | H01L21/50;H01L21/60;H01L23/488 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 孙德瑞 | 申请（专利权）人 | 山东傲天环保科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京华际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 叶宇 |
| 地址 | 250000 山东省济南市历下区华能路38号汇源大厦1506 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种芯片结构及其制造方法。本发明的芯片结构利用在其侧面上形成外露的牺牲电极来保护其用于外电连接的电极焊盘，其使得电极焊盘的材料的氧化还原电位高于牺牲电极的材料的氧化还原电位，能够在水氧的环境下先消耗牺牲电极材料，保护电极焊盘材料。并且，牺牲电极通过种子层与电极焊盘一一弱电连接，以此保证牺牲电极和电极焊盘的初始电位相同，能够进一步保护电极焊盘。 |
