硅片的湿法蚀刻方法和装置
基本信息
| 申请号 | CN202210325636.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114724948A | 公开（公告）日 | 2022-07-08 |
| 申请公布号 | CN114724948A | 申请公布日 | 2022-07-08 |
| 分类号 | H01L21/3213（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 梁兆龙;王国峰 | 申请（专利权）人 | 青岛惠芯微电子有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市百瑞专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 266200山东省青岛市即墨区北安街道办事处太吉路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种硅片的湿法蚀刻方法和装置，步骤包括，将表面形成有金属膜层的硅片浸入金属蚀刻液中；等待反应预设时间，将反应后的硅片提离金属蚀刻液；重复将反应后的硅片浸入金属蚀刻液中，并等待反应预设时间，将反应后的硅片提离金属蚀刻液，直至硅片表面的金属膜层蚀刻完成。通过上述步骤，将硅片反复的上下抛动，保证了每个硅片的速度是相同的，相对于旋转硅片，不会出现靠近旋转中心的硅片的速度小，而远离旋转中心的硅片的速度大，保证硅片蚀刻均匀性，也避免硅片因为速度过大而破损，且把硅片提离液位的方式，将硅片表面残留的生成物带走，避免生成物附着在硅片的表面，阻止蚀刻反应的进行，提高反应效率。 |
