芯片及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202110289994.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114361237A | 公开（公告）日 | 2022-04-15 |
| 申请公布号 | CN114361237A | 申请公布日 | 2022-04-15 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/872（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 史仁先;王国峰 | 申请（专利权）人 | 青岛惠芯微电子有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市百瑞专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 邢涛 |
| 地址 | 266200山东省青岛市即墨区北安街道办事处太吉路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了芯片及其制作方法，所述芯片包括依次堆叠设置的硅片、外延层和势垒层，所述硅片的其中一面上设有沟槽，所述外延层和势垒层设置在所述硅片中设有沟槽的一面上，且覆盖所述沟槽；所述势垒层、势垒层正下方的外延层形成势垒区。本申请通过在硅片的表面设置沟槽，使得势垒区的面积增大，进而使得势垒区可以承受的电流密度增加，导致芯片的正向压降降低，这样在相同的芯片尺寸下，本申请由于正向压降较低就有了明显的优势，使得产品竞争力得到了提高。 |
