肖特基二极管及肖特基二极管的制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

肖特基二极管及肖特基二极管的制备方法

基本信息

申请号	CN202210307568.2	申请日	-
公开（公告）号	CN114709252A	公开（公告）日	2022-07-05
申请公布号	CN114709252A	申请公布日	2022-07-05
分类号	H01L29/06（2006.01）I;H01L29/872（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	王国峰;李京兵;石晓宇	申请（专利权）人	青岛惠芯微电子有限公司
代理机构	北京华夏泰和知识产权代理有限公司	代理人	-
地址	266227山东省青岛市即墨区北安街道办事处太吉路1号
法律状态	-

摘要

本申请涉及一种肖特基二极管及肖特基二极管的制备方法，其中，肖特基二极管包括外延层、第一氧化层、势垒层、第一金属层以及第二金属层，其中，外延层设置有PN结，PN结沿外延层厚度方向将外延层划分为P区和N区，外延层还设置有环形凹槽，环形凹槽的开口端设置于P区；第一氧化层设置于P区远离N区的一面，且位于环形凹槽的环形外；势垒层设置于P区远离N区的一面，且位于环形凹槽的环形内；第一金属层设置于第一氧化层远离外延层的一面；第二金属层设置于势垒层远离外延层的一面；填充结构设置于环形凹槽的凹槽内。本申请通过PN结以及环形凹槽的设置，进一步提高了反向击穿电压，同时可有效降低反向漏电电流，提高高温反向偏压的可靠性。