二极管
基本信息
| 申请号 | CN202022006235.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213124448U | 公开（公告）日 | 2021-05-04 |
| 申请公布号 | CN213124448U | 申请公布日 | 2021-05-04 |
| 分类号 | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 尹江龙;章剑锋;向军利 | 申请（专利权）人 | 瑞能半导体科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 赵秀芹 |
| 地址 | 330052 江西省南昌市南昌县小蓝经济开发区小蓝中大道346号16栋北面一楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请实施例提供了一种二极管，包括：第一导电类型的衬底，所述衬底包括块晶圆或由以下任意一种方法制成的晶圆：中子嬗变掺杂法、直拉法、区熔法、直拉区熔法和磁控拉晶法，所述衬底包括相对的第一表面和第二表面；位于所述衬底的第一表面上的第一导电类型阱区；位于所述衬底的第二表面上的第二导电类型阱区；位于所述第一导电类型阱区上的第一电极层；位于所述第二导电类型阱区上的第二电极层；其中，所述第一导电类型和所述第二导电类型中，其中一个为N型，另一个为P型。根据本申请实施例提供的二极管，能够降低二极管的生产成本。 |
