碳化硅MOSFET半导体器件及制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202210659847.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114744049A | 公开（公告）日 | 2022-07-12 |
| 申请公布号 | CN114744049A | 申请公布日 | 2022-07-12 |
| 分类号 | H01L29/786（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I;H01L27/07（2006.01）I;H01L21/82（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 崔京京;章剑锋 | 申请（专利权）人 | 瑞能半导体科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 330052江西省南昌市南昌县小蓝经济开发区小蓝中大道346号16栋北面一楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请涉及一种碳化硅MOSFET半导体器件及制作方法，其特征在于，包括：衬底层，外延层，阱区，第一金属层。阱区包括第一阱区、第二阱区和第三阱区，第一阱区与第二阱区之间设置间隔区，第一阱区和第二阱区为第二导电类型，间隔区为具有第二掺杂浓度的第一导电类型，且第一掺杂浓度小于第二掺杂浓度，第三阱区为具有第三掺杂浓度的第一导电类型，第三阱区设置在第一阱区背离间隔区的一侧以及第二阱区背离间隔区的一侧。第一金属层位于阱区上，第一金属层至少覆盖间隔区，第一金属层与间隔区之间形成欧姆接触。本申请实施例能够有效降低碳化硅MOSFET晶体管的反向导通压降，减少体二极管反向恢复时间，同时具备较低的制作成本。 |
