碳化硅沟槽栅晶体管及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202210651597.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114725219A | 公开（公告）日 | 2022-07-08 |
| 申请公布号 | CN114725219A | 申请公布日 | 2022-07-08 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L27/088（2006.01）I;H01L21/8234（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 崔京京;章剑锋 | 申请（专利权）人 | 瑞能半导体科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 330052江西省南昌市南昌县小蓝经济开发区小蓝中大道346号16栋北面一楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种碳化硅沟槽栅晶体管及其制造方法，涉及半导体器件领域。碳化硅沟槽栅晶体管包括：碳化硅衬底，碳化硅衬底包括第一表面；第一表面上设置有第一掺杂类型的外延层；外延层内埋置有多个间隔设置的第二掺杂类型的体区；体区包括底部区域以及与底部区域的一端连接的侧部区域；形成于外延层远离第一表面的表面上的多个栅极沟槽结构、多个源极沟槽结构、多个平面栅极结构以及多个阱区；在靠近栅极沟槽结构侧面的阱区内以及位于源极沟槽结构外侧的阱区内形成第一掺杂类型的第二掺杂区。根据本申请实施例，能够降低导通电阻，从而减少芯片面积和降低芯片成本。 |
