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一种降低Grinding过程Dimple率的自净化方法

基本信息

申请号	CN202210227627.5	申请日	-
公开（公告）号	CN114758950A	公开（公告）日	2022-07-15
申请公布号	CN114758950A	申请公布日	2022-07-15
分类号	H01L21/304（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I;B24B7/22（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	刘姣龙;蒋文斌;李苏峰;邓欢;武卫;刘建伟	申请（专利权）人	中环领先半导体材料有限公司
代理机构	苏州高专知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	-
地址	214200江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种降低Grinding过程Dimple率的自净化方法，其自净化方法包括以下步骤：S1、首先准备好需要进行加工的硅片材料备用，并且通过Table释放真空产生吸力，将需要加工的硅片吸附到其表面上，并且通过采用磨轮从上面进行实时研磨净化硅片。S2、然后在研磨净化的过程中，可根据实际研磨净化的需要，通过人员对Table转速进行实时调节，使得Table的转速调整降至最低，进而有效的降低离心力的影响，避免因为边缘无陶瓷孔，边缘杂质不容易被排除且边缘Dimple问题对后道影响更大，导致后道更难修复。本发明通过以上净化方式的优化，即可大浮动降低减薄Grinding过程的Dimple率，还可以避免Grinding过程Dimple位于边缘的问题，避免硅片因纳米形貌不良造成报废、提高产品良率。