一种可控制硅单晶的体微缺陷密度的单晶炉
基本信息
| 申请号 | CN202123017512.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN216947284U | 公开（公告）日 | 2022-07-12 |
| 申请公布号 | CN216947284U | 申请公布日 | 2022-07-12 |
| 分类号 | C30B15/20（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 袁长宏;娄中士;李鹏飞;田旭东;李振;闫鹏飞;沙志强;张净源;周宏邦;贾海洋;王淼;张强 | 申请（专利权）人 | 中环领先半导体材料有限公司 |
| 代理机构 | 天津诺德知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 010070内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供一种可控制硅单晶的体微缺陷密度的单晶炉，在单晶炉的炉体内配设有用于监控已拉出硅单晶等径段的温度梯度的测温装置以及用于调控所述等径段温度梯度的调控装置，所述测温装置和所述调控装置均固设于所述炉体内侧，且所述调控装置绕设于所述等径段的外径设置。本实用新型一种可控制硅单晶的体微缺陷密度的单晶炉，通过设置多组测温仪以监测硅单晶等径段中不同位置的阶梯温度，并通过设置不同位置的调控装置以保证不同阶梯温度的稳定性，提高硅单晶降温保温的精准度，以获得满足终端产片质量的硅单晶。 |
