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一种改善硅片表面自然氧化层厚度的工艺

基本信息

申请号	CN202210205046.1	申请日	-
公开（公告）号	CN114649207A	公开（公告）日	2022-06-21
申请公布号	CN114649207A	申请公布日	2022-06-21
分类号	H01L21/311（2006.01）I;H01L21/3105（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;B08B3/08（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	石明;陈杰;杨川毅;刘琦	申请（专利权）人	中环领先半导体材料有限公司
代理机构	苏州高专知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	-
地址	214200江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种改善硅片表面自然氧化层厚度的工艺，其改善工艺包括以下步骤：S1、首先需要进行准备适量的氨水、双氧水和水实时备用，将准备好的氨水、双氧水和水进行药液混合配液，将氨水、双氧水和水混合液调整配比至一定的药液浓度，并且选用low cop的单晶加工一定直径的半导体产品进行实时备用，S2、然后需要进行使用low cop的单晶加工至最终清洗前，并且选取6组实验所需的硅片，并将第一组实验设定为现有的工艺，将第二组实验仅仅改变一槽HF的清洗时间。本发明所述的工艺改善在FTIR测试膜厚参数模式下,卡控氧化层厚度的加工工艺，具备改善硅片表面自然氧化层薄、氧化层均匀性好的优点，有效提高了半导体硅片产品的国际市场竞争力。