一种模拟功率型开关管寄生电容预调驱动信号的方法
基本信息
| 申请号 | CN201811122782.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109239566B | 公开（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申请公布号 | CN109239566B | 申请公布日 | 2021-08-24 |
| 分类号 | G01R31/26 | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 苏亮;齐志坤;吴发龙 | 申请（专利权）人 | 保定四方三伊电气有限公司 |
| 代理机构 | 北京智绘未来专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 张红莲 |
| 地址 | 100085 北京市海淀区上地信息产业基地四街9号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 在驱动级开关管在对功率型开关管驱动的调试过程中，由于功率型开关管电容参数的影响，经常使功率型开关管MOSFET管栅极驱动电路电压输出额定电压值与实际栅极驱动电压出现差异。影响功率型MOSFET管工作效果的同时，还要进行后期电路的反复调整，在半桥及全桥的电路应用中，由于栅极驱动电压信号的配合由于栅源极寄生电容存在及寄生电容容值偏移的影响，引起栅极驱动电压信号出现畸变，甚至出现驱动级MOSFET管损坏情况。本发明提供了一种调试方法，通过使用电容模拟功率型开关管寄生电容来进行驱动级MOSFET驱动信号的预调，通过这个方法缩短研发调试周期，并降低调试过程中由于失误造成的损失。 |
