一种等离子增强化学气相沉积装置和沉积方法
基本信息
| 申请号 | CN202210611927.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114686860A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114686860A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | C23C16/505（2006.01）I;C23C16/455（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 孙文彬;刘龙龙 | 申请（专利权）人 | 无锡邑文电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 226400江苏省南通市如东县掘港街道金山路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种等离子增强化学气相沉积装置和沉积方法，涉及气相沉积技术领域。该装置包括框架、气箱、射频匹配器、气体分配机构及沉积机构；射频匹配器与气箱连通，用于处理气箱输出的气体；气体分配机构用于接收射频匹配器处理后的气体；沉积机构包括六个喷淋件、加热盘及六个晶圆工作件；每个喷淋件均通过气管与气体分配机构连通；加热盘能相对框架转动；六个晶圆工作件间隔设置于加热盘，用于安装晶圆，每个晶圆工作件能在加热盘相对框架转动时依次与六个喷淋件相对，且每个晶圆均被配置为依次经过六个喷淋件分批次多次薄膜沉积，以使晶圆表面的薄膜在多次沉积后达到预设厚度。该装置通过分批次多次沉积能提高晶圆薄膜沉积过程的均匀性。 |
