一种纳米硅材料及其制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种纳米硅材料及其制备方法

基本信息

申请号	CN201911396836.7	申请日	-
公开（公告）号	CN113130857A	公开（公告）日	2021-07-16
申请公布号	CN113130857A	申请公布日	2021-07-16
分类号	H01M4/36（2006.01）I;H01M4/38（2006.01）I;H01M10/0525（2010.01）I;C01B33/02（2006.01）I;C01B33/021（2006.01）I;B82Y30/00（2011.01）I;B82Y40/00（2011.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	赵明才;张娟;汪炜	申请（专利权）人	江苏载驰科技股份有限公司
代理机构	南京正联知识产权代理有限公司	代理人	邓唯
地址	211156江苏省南京市江宁区禄口街道神舟路37号禄口创智产业园C-81号
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种非晶态/纳米晶复合结构的纳米硅材料。在锂/钠离子电池应用中，晶态硅材料首次嵌锂/钠后，形成非晶态区域（硅锂合金）和晶态区域（未嵌锂）复合结构，产生体积膨胀及结构变化；脱锂/钠后，体积收缩导致结构坍塌，即硅颗粒破裂及粉化。为了预先提供足够的嵌锂/钠空间，抑制首次嵌/脱锂/钠的体积变化，本发明提出一种非晶态/纳米晶复合结构及其可控制备方法，即采用火花放电和高能球磨组合工艺，制备具有非晶态/纳米晶复合结构的纳米硅材料，其中，非晶态区域包围纳米晶，纳米晶的晶面取向随机分布，非晶态区域占比范围可控，属各向同性材料。在锂和钠离子电池应用中，该结构可以有效地缓解因嵌/脱锂/钠导致硅材料膨胀/收缩引起的材料破裂和粉化问题，从而提高硅负极的循环性能。